Технология

Выращивание растений начинается с высокого качества посадочного материала. Рассада в зимний период выращивается в рассадном отделении с электродосвечиванием. Для посева используются семена высокого качества. После посева семена присыпаются тонким слоем вермикулита и накрываются прозрачной пленкой на 3-4 дня. При этом поддерживая постоянно заданную температуру и влажность до появления всходов. При появлении 10-15% всходов пленка снимается и включается досветка. Оптимальный уровень освещенности в фазе сеянцев 9000-10000 лк и выше, а в дальнейшие периоды выращивания не ниже 4000-5000 лк. Сеянцы с сильно деформированными и уродливыми семядолями выбраковываются.  Своевременный полив, и оптимальная температура способствуют качественному выращиванию рассады. Постоянное визуальное и лабораторное определение уровня влажности является единственным путем определения правильной стратегии полива. Для нормального развития корневой системы сеянцев субстрат должен отвечать оптимальным требованиям. К высадке рассада огурца имеет 4-5 настоящих листа, высоту надземной части 30-35 см и хорошо развитую корневую систему. Густота посадки составляет 2,5 раст/ м2.

Через неделю после посадки начинается подвязывание растения шпагатом к шпалере. Шпагат не должен быть сильно натянут, так как в этом случае при колебании шпалерной проволоки, возможно, повреждение корней у растения.  Проводится регулярная обкрутка растения вокруг шпагата под каждое  междоузлье  по часовой стрелке, чтоб не происходило сползание растения. Тщательное формирование растений  проводится в течение  2,5-3 месяцев после посадки, а с  началом массового плодоношения на боковых побегах необходимо следить, чтобы боковые побеги не загущали посадки, прищипку проводить еженедельно, удаляя только верхушки побегов. Сухие листья и отплодоносившие побеги удаляются  в солнечный день, чтобы места удаления быстро подсыхали, не являясь “воротами” для проникновения инфекций .Количество одновременно наливающихся плодов на растении не более 2-3 шт. Нагрузка плодами увеличивается пропорционально увеличению прихода солнечной радиации и площади листовой поверхности.

Формирование растений:

У растений основного пчелоопыляемого гибрида ослепляются 5-7 узлов , затем до 11-го узла удаляются все боковые побеги, оставляя по одной завязи. В следующих 7-ми узлах оставляются все образовавшиеся плоды, а боковые побеги прищипываются на 1 лист. В верхних узлах боковые побеги прищипываются, оставляя 2 листа. Главный стебель ведется до соседнего растения  и прищипывается. При таком формировании растения напоминают “перевернутую пирамиду”, т.е. постепенно увеличивается нагрузка на главный стебель. У опылителя основной стебель опускается вниз на 60см и прищипывается, а боковые побеги прищипываются на 3-5 листьев.

Опыление:

Опыление – смешанное. На каждом гектаре выставляется 6-8 ульев с пчелами, а затем добавляются шмелиные домики до 10-20 шт  на 1 га. Качество опыления и соответственно образование плодов зависит от достаточного количества мужских цветков, пыльцы и численности особей рабочих пчел в теплице. Соотношение мужских и женских цветков в агрофитоценозе – примерно 1:6, обеспечивает качественное опыление и гарантирует высокие товарные качества продукции огурца.

Защита растений:

Ежедневно проводится мониторинг растений на наличие вредителей и болезней .С целью  профилактики  производится  выпуск полезных  насекомых- энтомофагов, которые выращиваются в собственной биолаборатории, и развешивание по периметру теплиц клеевых цветоловушек . При обнаружении болезней используются биологические препараты.

Подкормки:

Внекорневые подкормки проводятся по мере необходимости по результатам  визуальной листовой диагностики и  анализов агрохимлаборатории , которые проводятся 1 раз в неделю. На основе  анализов составляется  питательный раствор, который подается, дозировано через  капельницу  под каждое растение.

Сбор урожая:

Очень важно для растения огурца проводить регулярные сборы плодов, не допуская их перерастания. Плоды достигают уборочной (технической) спелости в среднем через 2 недели после цветения.